Samsung 990 EVO 1TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Código: A-052004
Marca: SAMSUNG
P/N: MZ-V9E1T0BW
Características
Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 1TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: PC
Ancho 80 mm |
80 mm |
Profundidad 2,38 mm |
2,38 mm |
Altura 22 mm |
22 mm |
Peso 9 g |
9 g |
Consumo energético (en suspensión) 0,005 W |
0,005 W |
Voltaje de operación 3,3 V |
3,3 V |
Consumo de energía (lectura) 4,9 W |
4,9 W |
Consumo de energía (escritura) 4,5 W |
4,5 W |
Consumo de energía (espera) 0,06 W |
0,06 W |
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW |
5 mW |
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C |
0 - 70 °C |
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento 5 - 95% |
5 - 95% |
Intervalo de temperatura de almacenaje -40 - 85 °C |
-40 - 85 °C |
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje 5 - 95% |
5 - 95% |
Golpes en funcionamiento 1500 G |
1500 G |
Golpe (fuera de operación) 1500 G |
1500 G |
Vibración no operativa 20 G |
20 G |
Tipo de embalaje Caja |
Caja |
Periodo de garantía 5 año(s) |
5 año(s) |
SDD, capacidad 1TB |
1TB |
Factor de forma de disco SSD M.2 |
M.2 |
Interfaz PCI Express 4.0 |
PCI Express 4.0 |
Tiempo medio entre fallos 1500000 h |
1500000 h |
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES |
256-bit AES |
Componente para PC |
PC |
Velocidad de lectura 5000 MB/s |
5000 MB/s |
Velocidad de escritura 4200 MB/s |
4200 MB/s |
Tipo de memoria V-NAND TLC |
V-NAND TLC |
Soporte S.M.A.R.T. Si |
Si |
NVMe Si |
Si |
Versión NVMe 2.0 |
2.0 |
Lectura aleatoria (4KB) 680000 IOPS |
680000 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) 800000 IOPS |
800000 IOPS |
Carriles datos de interfaz PCI Express x4 |
x4 |
Soporte TRIM Si |
Si |
calificación TBW 600 |
600 |
Encriptación de hardware Si |
Si |
Función DevSleep Si |
Si |
Revisión PCI Express CEM 4.0 |
4.0 |
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) |
2280 (22 x 80 mm) |
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