Samsung MZ-V9S1T0 1TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Código: A-062880
Marca: SAMSUNG
P/N: MZ-V9S1T0BW
Características
Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
Ancho 80,2 mm |
80,2 mm |
Profundidad 2,38 mm |
2,38 mm |
Altura 80,2 mm |
80,2 mm |
Peso 9 g |
9 g |
Voltaje de operación 3,3 V |
3,3 V |
Consumo de energía (lectura) 4,3 W |
4,3 W |
Consumo de energía (escritura) 4,2 W |
4,2 W |
Consumo de energía (espera) 0,06 W |
0,06 W |
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW |
5 mW |
Consumo eléctrico promedio (lectura) 4,3 W |
4,3 W |
Consumo eléctrico promedio (escritura) 4,2 W |
4,2 W |
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C |
0 - 70 °C |
Golpes en funcionamiento 1500 G |
1500 G |
SDD, capacidad 1TB |
1TB |
Factor de forma de disco SSD M.2 |
M.2 |
Interfaz PCI Express 4.0 |
PCI Express 4.0 |
Tiempo medio entre fallos 1500000 h |
1500000 h |
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES |
256-bit AES |
Componente para PC |
PC |
Velocidad de lectura 7150 MB/s |
7150 MB/s |
Velocidad de escritura 6300 MB/s |
6300 MB/s |
Tipo de memoria V-NAND TLC |
V-NAND TLC |
Soporte S.M.A.R.T. Si |
Si |
NVMe Si |
Si |
Versión NVMe 2.0 |
2.0 |
Lectura aleatoria (4KB) 850000 IOPS |
850000 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) 1350000 IOPS |
1350000 IOPS |
Soporte TRIM Si |
Si |
Encriptación de hardware Si |
Si |
Función DevSleep Si |
Si |
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) |
2280 (22 x 80 mm) |
Mayoristas, proveedores y distribuidores de Samsung MZ-V9S1T0 1TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
