Samsung MZ-VAP1T0 1TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Código: A-067485
Marca: SAMSUNG
P/N: MZ-VAP1T0BW
Características
Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
Versión NVMe 2.0 | 2.0 |
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES | 256-bit AES |
SDD, capacidad 1 | 1 |
Factor de forma de disco SSD M.2 | M.2 |
Interfaz PCI Express 5.0 | PCI Express 5.0 |
NVMe Si | Si |
Tipo de memoria V-NAND TLC | V-NAND TLC |
Componente para PC/Consola de videojuegos | PC/Consola de videojuegos |
Encriptación de hardware Si | Si |
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) | 2280 (22 x 80 mm) |
Velocidad de lectura 14700 | 14700 |
Velocidad de escritura 13300 | 13300 |
Lectura aleatoria (4KB) 1850000 | 1850000 |
Escritura aleatoria (4KB) 2600000 | 2600000 |
Carriles datos de interfaz PCI Express x4 | x4 |
Función DevSleep Si | Si |
Soporte S.M.A.R.T. Si | Si |
Soporte TRIM Si | Si |
Tiempo medio entre fallos 1500000 | 1500000 |
Voltaje de operación 3,3 | 3,3 |
Consumo de energía (lectura) 7,6 | 7,6 |
Consumo de energía (escritura) 7,2 | 7,2 |
Consumo eléctrico promedio (lectura) 7,6 | 7,6 |
Consumo eléctrico promedio (escritura) 7,2 | 7,2 |
Consumo de energía (espera) 0,004 | 0,004 |
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 3,3 | 3,3 |
Ancho 80,2 | 80,2 |
Profundidad 2,38 | 2,38 |
Altura 80,2 | 80,2 |
Peso 9 | 9 |
Tipo de embalaje Caja | Caja |
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 | 0 - 70 |
Golpes en funcionamiento 1500 | 1500 |
Periodo de garantía 5 | 5 |
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