Samsung MZ-VAP8T0 8TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Código: A-086363
Marca: SAMSUNG
P/N: MZ-VAP8T0BW
Características
Samsung MZ-VAP8T0. SDD, capacidad: 8TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
Ancho 80,2 mm | 80,2 mm |
Profundidad 3,88 mm | 3,88 mm |
Altura 80,2 mm | 80,2 mm |
Voltaje de operación 3,3 V | 3,3 V |
Consumo de energía (lectura) 10,5 W | 10,5 W |
Consumo de energía (escritura) 8,8 W | 8,8 W |
Consumo de energía (espera) 0,009 W | 0,009 W |
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 8,6 mW | 8,6 mW |
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 C | 0 - 70 C |
Golpes en funcionamiento 1500 G | 1500 G |
Tipo de embalaje Caja | Caja |
Periodo de garantía 5 año(s) | 5 año(s) |
SDD, capacidad 8TB | 8TB |
Factor de forma de disco SSD M.2 | M.2 |
Interfaz PCI Express 5.0 | PCI Express 5.0 |
Tiempo medio entre fallos 1500000 h | 1500000 h |
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES | 256-bit AES |
Componente para PC/Consola de videojuegos | PC/Consola de videojuegos |
Velocidad de lectura 14800 MB/s | 14800 MB/s |
Velocidad de escritura 13400 MB/s | 13400 MB/s |
Tipo de memoria V-NAND TLC | V-NAND TLC |
Soporte S.M.A.R.T. Si | Si |
NVMe Si | Si |
Versión NVMe 2.0 | 2.0 |
Lectura aleatoria (4KB) 2200000 IOPS | 2200000 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) 2600000 IOPS | 2600000 IOPS |
Carriles datos de interfaz PCI Express x4 | x4 |
Soporte TRIM Si | Si |
Encriptación de hardware Si | Si |
Función DevSleep Si | Si |
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) | 2280 (22 x 80 mm) |
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