Samsung MZ-VAP2T0 2TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Código: A-067487
Marca: SAMSUNG
P/N: MZ-VAP2T0CW
Características
Samsung MZ-VAP2T0. SDD, capacidad: 2TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
Ancho 80,2 mm |
80,2 mm |
Profundidad 8,88 mm |
8,88 mm |
Altura 80,2 mm |
80,2 mm |
Peso 30 g |
30 g |
Voltaje de operación 3,3 V |
3,3 V |
Consumo de energía (lectura) 8,1 W |
8,1 W |
Consumo de energía (escritura) 7,9 W |
7,9 W |
Consumo de energía (espera) 0,005 W |
0,005 W |
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 4 mW |
4 mW |
Consumo eléctrico promedio (lectura) 8,1 W |
8,1 W |
Consumo eléctrico promedio (escritura) 7,9 W |
7,9 W |
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C |
0 - 70 °C |
Golpes en funcionamiento 1500 G |
1500 G |
Tipo de embalaje Caja |
Caja |
Periodo de garantía 5 año(s) |
5 año(s) |
SDD, capacidad 2TB |
2TB |
Factor de forma de disco SSD M.2 |
M.2 |
Interfaz PCI Express 5.0 |
PCI Express 5.0 |
Tiempo medio entre fallos 1500000 h |
1500000 h |
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES |
256-bit AES |
Componente para PC/Consola de videojuegos |
PC/Consola de videojuegos |
Velocidad de lectura 14700 MB/s |
14700 MB/s |
Velocidad de escritura 13400 MB/s |
13400 MB/s |
Tipo de memoria V-NAND TLC |
V-NAND TLC |
Soporte S.M.A.R.T. Si |
Si |
NVMe Si |
Si |
Versión NVMe 2.0 |
2.0 |
Lectura aleatoria (4KB) 1850000 IOPS |
1850000 IOPS |
Escritura aleatoria (4KB) 2600000 IOPS |
2600000 IOPS |
Carriles datos de interfaz PCI Express x4 |
x4 |
Soporte TRIM Si |
Si |
Encriptación de hardware Si |
Si |
Función DevSleep Si |
Si |
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) |
2280 (22 x 80 mm) |
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