Samsung MZ-VAP4T0 4TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Código: A-067927
Marca: SAMSUNG
P/N: MZ-VAP4T0CW
Características
Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
Versión NVMe 2.0 | 2.0 |
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES | 256-bit AES |
SDD, capacidad 4 | 4 |
Factor de forma de disco SSD M.2 | M.2 |
Interfaz PCI Express 5.0 | PCI Express 5.0 |
NVMe Si | Si |
Tipo de memoria V-NAND TLC | V-NAND TLC |
Componente para PC/Consola de videojuegos | PC/Consola de videojuegos |
Encriptación de hardware Si | Si |
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) | 2280 (22 x 80 mm) |
Velocidad de lectura 14800 | 14800 |
Velocidad de escritura 13400 | 13400 |
Lectura aleatoria (4KB) 2200000 | 2200000 |
Escritura aleatoria (4KB) 2600000 | 2600000 |
Carriles datos de interfaz PCI Express x4 | x4 |
Función DevSleep Si | Si |
Soporte S.M.A.R.T. Si | Si |
Soporte TRIM Si | Si |
Tiempo medio entre fallos 1500000 | 1500000 |
Voltaje de operación 3,3 | 3,3 |
Consumo de energía (lectura) 9 | 9 |
Consumo de energía (escritura) 8,2 | 8,2 |
Consumo eléctrico promedio (lectura) 9 | 9 |
Consumo eléctrico promedio (escritura) 8,2 | 8,2 |
Consumo de energía (espera) 0,007 | 0,007 |
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5,7 | 5,7 |
Ancho 80,2 | 80,2 |
Profundidad 8,88 | 8,88 |
Altura 80,2 | 80,2 |
Peso 30 | 30 |
Tipo de embalaje Caja | Caja |
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 | 0 - 70 |
Golpes en funcionamiento 1500 | 1500 |
Periodo de garantía 5 | 5 |
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